ASMPT 探索新一代宽带隙(WBG)半导体设备

09.09.2020

ASMPT 探索新一代宽带隙(WBG)半导体设备

ASMPT 探索新一代宽带隙(WBG)半导体设备


许志伟先生

市场部副总裁

半导体解决方案 – IC / Discrete

ASM Pacific Technology Ltd.

在日常生活中,智能手机,家用电器、医疗保健设备、电脑、网络、数据中心、汽车、高铁等产品中,都扮演着非常重要的角色。过往我们会以Si、GaAs、InP和其他物料用作第一代和第二代的高功率半导体器件,随着科技发展渐趋成熟,这技术已被广泛应用。可是,每种技术都会有其局限性。具有宽带隙(Wide-Band Gap ; WBG)特性的物料,包括SiC和GaN,提供了更优胜的性能:

  1. 更高的电流密度;
  2. 较宽的工作温度范围;
  3. 更快的切换性能;
  4. 较低的导通电阻(RdsON);和
  5. 在高频运行时更少的开关损耗。

由于WBG的特性比以往半导体物料优胜,在不久的将来,SiC和GaN會成为新一代的功率半导体的物料。

物料

碳化矽 - Silicon Carbide

氮化镓 - Gallium Nitride

化学元素

SiC

GaN

应用

高电压和高功率的汽车应用

5G基站中的高电子移动率晶体(High-Electron-Mobility Transistor;HEMTs)、快速充电电池和电网组件等

然而,新物料的介入令制造商面临各种挑战︰

1. 晶圆切割工艺:刀片VS雷射切割

2. 固晶工艺:脆晶和/或薄晶处理

3. 新工艺:

3A:划胶 - 高银比环氧 (High Silver Epoxy) VS 傳統划胶工藝

3B: 锡膏處理 (Solder Paste)

3C: 烧结(Sintering) / 薄膜 (Film Handling)處理

4. 焊线工艺:一般在高功率使用中,粗鋁線或帶式鋁線都會被採用,而需要更大的线径处理范围 (3 - 25 mil)

5. 温度控制及配备更佳的空洞控制 (void control)

为了打破这些挑战,制造商必须与物料及设备供应商合作,以实现低损耗、低电感、高功率密度、高散热性能、高集成度和多功能开发的功率器件模组及封装制程。

经验丰富的高端设备供应商— ASM Pacific Technology Ltd. ,掌握各方面的工艺知识,从科研、产品及工艺开发到售后服务,ASM Pacific Technology Ltd. 都能提供一站式的功率半导体器件解决方案,从而节省客户的开发时间和成本。

ASM Pacific Technology Ltd. 的功率半导体器件解决方案

低功率

中功率

高功率

PVD

-

NEXX

晶圆切割

LASER1205

锡膏

-

DEK

固晶

SD8312

eClip

Force VECTOR

焊线

Aero Bonder (金线\铜线) | HERCULES (铝线)

AERO Bonder (金线\铜线) | HERCULES (铝线)

AOI

SkyHawk | SeaHawk

烧结

-

SilverSAM™

塑封

IDEALmold™ 3G Power

IDEALab™ 3G

后工序

FT- Series Power Turret

-

未来,半导体行业仍充满着不同的挑战和机遇,ASM Pacific Technology Ltd. 会继续利用多年累积的经验及其独有的一站式解决方案,加深与客户的合作关系,开拓数字化世界。