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晶圓濺鍍 - Apollo 200

Apollo 200 擁有靈活性，可使用托盤來保護脆弱的晶圓，從而進行薄膜或厚膜金屬的濺射沉積。本濺射沉積設備可以提高封裝的整體熱負荷評級，同時也能提供低電阻連接。了解更多

應用
  • 可配置多達 5 種不同的電鍍材料
  • SiC / 功率器件
  • 底部金屬化沉積 (UBM) / 再布線 (RDL)
  • 射頻過濾器
  • EMI
特點
  • 多種晶圓尺寸能力
  • 橋接能力：尺寸變化
  • 除氣 / 退火
  • 感應耦合電漿 (ICP) 蝕刻 / 電容式耦合電漿 (CCP) 蝕刻
材料
  • 100、150 和 200 mm 晶圓
  • 易碎和薄晶圓加工
  • 矽片、环氧模塑料 (EMC)、玻璃、LiNbO3/LiTaO3、GaAs、Bonded

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